電子デバイス産業新聞(旧半導体産業新聞)
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2018/3/22(2288号)主なヘッドライン
次世代メモリー、混載NVMで主役候補に
マスク枚数低減に大きく寄与、現行フラッシュ技術も進化

eNVMの技術トレンドの変化
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 MRAM(磁気抵抗メモリー)やReRAM(抵抗変化型メモリー)などの次世代メモリーが、マイコンなどに搭載される混載不揮発性メモリー(eNVM)の主役候補として浮上している。28nm以降の先端プロセスでは混載フラッシュのための追加マスクの費用が問題となっており、コスト低減の手法として次世代メモリーの採用に踏み切るところが出てきているためだ。ディスクリートメモリーとしては、まだ課題を残す次世代メモリーだが、組み込み分野でいよいよ普及期を迎えようとしている。

 組み込み分野の主用途であるマイコンでは現状、65/55nmなどが量産化されており、ルネサス エレクトロニクスなどが40nm品を市場に先がけて投入している。今後は28nm世代の採用が予定されているが、既存のNORフラッシュ技術ではコストの観点で大きな課題に直面している。
 具体的には、微細化に伴ってマスク枚数が大きく増大している。フラッシュマイコンの製造では、同一ウエハー上にロジックとメモリーを作り込むため、標準のCMOSプロセスに加えて、混載フラッシュ向けの追加マスクが必要となる。65/55nmでは追加マスクが8~10枚で済んでいたものが、45/40nmで10~12枚、28nmで15~18枚と増加の一途をたどっており、もはや許容範囲を超えるレベルとなってきた。

(以下、本紙2018年3月22日号1



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