電子デバイス産業新聞(半導体産業新聞)
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半導体オブ・ザ・イヤー2016
受賞製品・技術 発表
  第22回(2016年5月26日発表)
■半導体デバイス部門
グランプリ
ローム㈱
トレンチ構造採用のSiC-MOSFET
優秀賞
アナログ・デバイセズ㈱
ADN4651 LVDSアイソレータ、デュアル・チャンネル、5kVrms、600Mbps
エヌビディア
車載人工知能エンジン「NVIDIA DRIVE PX 2」
■半導体製造装置部門
グランプリ
TOWA㈱
FOWLP対応モールド装置CPM1080
優秀賞
SPPテクノロジーズ㈱
化合物エッチング装置“APS-Spica”(エーピーエス スピカ)
レーザーテック㈱
SiCウエハー欠陥検査/レビュー装置「WASAVIシリーズSICA88」
■半導体用電子材料部門
グランプリ
創晶、創晶超光、大阪大学
世界最高品質のCLBO結晶
優秀賞
スリーエム ジャパン㈱
仮固定用粘着テープATT-4025
アルファ 
銀シンター「Argomax 9000」
 今回で第22回を迎える「半導体・オブ・ザ・イヤー2016」は、半導体デバイス部門、半導体製造装置部門、半導体用電子材料部門で選定いたしました。 2015年4月~2016年3月の間に新製品(バージョンアップ等を含む)として発表された製品・技術、および本紙で紹介された新製品の中から本紙記者の推薦、自由応募を含めて候補製品・技術を選出し、このほど厳正なる記者投票を行いました。選定にあたっては、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準といたしました。
■ 実施概要
 ■参加対象
 (1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、(3)半導体用電子材料部門
 15年4月~16年3月までの間に発表された製品・技術(バージョンアップなどを含む)


 ■賞
 (1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
 (3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点 および 優秀賞を選出


 ■選考方法:
 電子デバイス産業新聞の記者による投票で受賞者を選定

 ■発表方法:
 2016年5月26日(木)発行の電子デバイス産業新聞紙面にて発表

 ■主催
  電子デバイス産業新聞(産業タイムズ社)
  〒101-0032 東京都千代田岩本町1-10-5 TMMビル3階
  TEL:03-5835-5896 FAX:03-5835-5496
  Eメール:scnw@sangyo-times.co.jp