第32回 半導体・オブ・ザ・イヤー2026 by 電子デバイス産業新聞（旧半導体産業新聞）

　電子デバイス産業新聞は最新のエレクトロニクス製品の開発において最も貢献した製品を称えるため「半導体・オブ・ザ・イヤー」を選定しており、本年が第32回の開催となります。本年は、①半導体デバイス、②半導体製造装置、③半導体用電子材料の3部門でグランプリ1点、優秀賞2点の最大計9点を選定する予定です。

■ 開催概要

　■対象製品：
　　2025年4月～2026年3月までに新製品（バージョンアップ等を含む）として発表された製品・技術

　■選考方法：

電子デバイス産業新聞の記者によるノミネートを中心とし、記者投票で受賞者を選定します。自薦・他薦も受け付け、記者投票の対象といたします。所定の応募用紙に必要事項を記入のうえ、申し込み締切日4月10日（金）までにご応募下さい。
受賞者には4月下旬までに当社よりご連絡差し上げます。

　■発表方法：
　　5月21日(木)または5月28日(木)発行の電子デバイス産業新聞紙面にて発表予定

　■授賞式： 　

2026年6月10日（水）午後（予定）
電子回路業界で世界最大級の展示会「電子機器トータルソリューション展2026（JPCA Show 2026など）」が開催中の東京ビッグサイト会場内

　■ご参考：
　　　前回開催（第31回　半導体・オブ・ザ・イヤー2025）の受賞者・受賞製品

■半導体デバイス部門
グランプリ	インフィニオンテクノロジーズ	世界初の300 mmパワーGaN技術
優秀賞	日清紡マイクロデバイス株式会社、沖電気工業株式会社	薄膜アナログICの３次元集積～アナログ積層回路技術とCFB技術の融合～
優秀賞	TDK株式会社	スピントロニクス技術を用いたニューロモルフィック素子「スピンメモリスタ」
■半導体製造装置部門
グランプリ	沖縄科学技術大学院大学	エネルギー効率を飛躍的に高める革新的なEUVリソグラフィー先端半導体製造技術
優秀賞	株式会社LE-TECHNOLOGY	アドバンスドパッケージ用ダイレクト露光装置「LAMBDI」
優秀賞	東レエンジニアリング株式会社、東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社	パネルレベルパッケージ用の検査、塗布、実装各装置の開発・展開
■半導体用電子材料部門
グランプリ	SICC Co., Ltd.	世界初の300㎜SiCウエハー
優秀賞	三井化学株式会社	ハイブリッド接合の低温化に向けた絶縁樹脂の開発
優秀賞	三菱マテリアル株式会社	半導体パッケージ向け「角型シリコン基板」

　■応募用紙：

　　　 word