第1章 ようこそ「パワー半導体」の世界へ(約100分)
1.パワーエレクトロニクス技術とはなにか
2.パワー半導体を使うとなぜ省エネになるのか
3.パワー半導体の仕事は?
4.どんな用途に何が使われているのか?
5.パワーデバイスに要求される特性は何?
6.パワー半導体のマーケット動向と今後の展望
第2章 シリコン系パワーMOSFETとIGBTの進展と課題(約60分)
第3章 パワー半導体製造プロセスとモジュール化(約15分)
第4章 SiC・GaNパワーデバイスの現状と課題(約120分)
1.MOSFETかIGBTか
2.なぜSiCが注目されているのか
3.SiCパワーデバイスの開発(最近のトピックスから)
4.SiCモジュールの課題
5.なぜGaNが注目されているのか
6.GaNパワーデバイスの開発(最近のトピックスから)
第5章 最近話題の酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスについて(約10分)
第6章 SiCパワーデバイス実装技術の進展と課題(約20分)
講師:国立大学法人筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸氏
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