受賞製品・技術 発表
授賞式開催
2026年6月10日(水)
東京ビッグサイト 東7ホール セミナー会場10
（電子機器トータルソリューション展内）
第32回（2026年5月21日発表）
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■半導体デバイス部門 |
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グランプリ |
NVIDIA
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NVIDIA Rubinプラットフォーム
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優秀賞 |
キオクシア
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高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術の開発
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優秀賞 |
Rapidus
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2nmノード GAAトランジスタの製造技術
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■半導体製造装置部門
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グランプリ |
Vanguard Automation GmbH Mycronic Group
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Vanguard SONATA1000 Series - Fully automated system solution for Photonic Wire Bonding and Micro-Optical Lens fabrication
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優秀賞 |
ニューフレアテクノロジー
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「A14Nodeデザインルール対応マルチ電子ビームマスク描画装置「MBM™-4000」」
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優秀賞 |
日機装
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SiCパワー半導体向け高生産性加圧焼結装置「3D Sinter」
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■半導体用電子材料部門 |
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グランプリ |
大日本印刷
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回路線幅10nmのナノインプリント用テンプレート
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優秀賞 |
富士フイルム
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PFASフリー ネガ型ArF液浸レジスト
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優秀賞 |
奥野製薬工業
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ガラスコア基板向けスルーホールフィリング用硫酸銅めっき添加剤「トップルチナGCS」シリーズ
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第32回を迎える「半導体・オブ・ザ・イヤー2026」は、半導体デバイス部門、半導体製造装置部門、半導体用電子材料部門で選定いたしました。
2025年4月～2026年3月の間に新製品（バージョンアップ等を含む）として発表された製品・技術、および本紙で紹介された新製品の中から本紙記者の推薦、自由応募を含めて候補製品・技術を選出し、このほど厳正なる記者投票を行いました。選定にあたっては、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準といたしました。
■参加対象：
(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、(3)半導体用電子材料部門
2025年4月～2026年3月までの間に発表された製品・技術（バージョンアップなどを含む）
■賞：
(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
(3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点 および 優秀賞を選出
■選考方法：
電子デバイス産業新聞の記者による投票で受賞者を選定
■発表方法：
2026年5月21日（木）発行の電子デバイス産業新聞紙面にて発表
■主催：
電子デバイス産業新聞（産業タイムズ社）
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