第20回 半導体・オブ・ザ・イヤー2014 by 電子デバイス産業新聞（旧半導体産業新聞）

受賞製品・技術　発表　

　 第20回（2014年5月14日発表）

■半導体デバイス部門
グランプリ	オムロン㈱	2013年6月28日発表高低差50cm（分解能5mm）を検知できる絶対圧センサ
優秀賞	ローム㈱	2013年4月2日発表 MOSFETとIGBTの良特性を兼ね備えた新型トランジスタ「Hybrid MOS」
優秀賞	ザイリンクス㈱	2013年11月発表業界初の20nmプロセスで製造したAll Programmable UltraScaleデバイス
■半導体製造装置部門
グランプリ	東京エレクトロン㈱	2013年7月9日発表枚葉洗浄装置「CELLESTA™-i MD」
優秀賞	㈱ニコン	2014年2月20日発表重ね合わせ精度と生産性を向上させたArF液浸スキャナー「NSR-S630D」
優秀賞	キヤノンアネルバ㈱	2013年12月4日発表 STT-MRAM 量産向け MTJ 多層膜成膜装置「NC7900」
■半導体用電子材料部門
グランプリ	昭和電工㈱	2013年9月30日発表パワー半導体用SiCエピウェハー6インチ品
優秀賞	東レ・ダウコーニング㈱	2013年12月17日発表車載エレクトロニクス用の高熱伝導性放熱接着剤
優秀賞	エア・ウォーター㈱	2013年5月20日発表大面積 8 インチ SiC on Si 基板

　今回で第20回を迎える「半導体・オブ・ザ・イヤー2014」は、半導体デバイス部門、半導体製造装置部門、半導体用電子材料部門で選定いたしました。2013年4月～2014年3月の間に新製品（バージョンアップ等を含む）として発表された製品・技術、および本紙で紹介された新製品の中から本紙記者の推薦、自由応募を含めて候補製品・技術を選出し、このほど厳正なる記者投票を行いました。選定にあたっては、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準といたしました。

■ 実施概要

　■参加対象：
　(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、(3)半導体用電子材料部門
　13年4月～14年3月までの間に発表された製品・技術（バージョンアップなどを含む）

　■賞：
　(1)半導体デバイス部門、(2)半導体製造装置部門、
　(3)半導体用電子材料部門からそれぞれ、グランプリ 1点および優秀賞を選出

　■選考方法：
　半導体産業新聞の記者による投票で受賞者を選定

　■発表方法：
　2014年5月14日（水）発行の半導体産業新聞紙面にて発表

　■主催：
　　半導体産業新聞（産業タイムズ社）
　　〒101-0032 東京都千代田岩本町1-10-5 TMMビル3階
　　TEL：03-5835-5896　FAX：03-5835-5496
　　Eメール：scnw@sangyo-times.co.jp