10：00～12：00（120分）
トランジスタの基本的な動作と役割
―― 半導体とは何か、n型とp型の違い、ダイオードとトランジスタの基礎をキーワードで理解しましょう ――
デバイス別のトランジスタをもう少し詳しく
―― ロジック／SoC、メモリー、パワー半導体のトランジスタ構造・動作原理・役割を解説します ――
第1部担当：（株）産業タイムズ社 電子デバイス産業新聞 編集委員（事業開発部 部長）甕 秀樹
13:00～15:00（120分）
＜半導体製造プロセス＞
半導体製造プロセスは、なんのためにあるのでしょうか
―― なぜウェハを大口径化し、なぜ高額な装置を導入するのか ――
＜Ｓｉ（シリコン）ウェハ＞
半導体を作り込む「シリコン・ウェハ基板」
―― なぜＳｉ／円形／大口径化など、ウェハの役割り ――
＜洗浄＞
半導体製造の大敵：ゴミを徹底的に排除する
―― ウェハにゴミが付着するとどうなる ――
＜成膜＞
導電膜や絶縁膜などをウェハ全面に形成する
１．熱を利用して酸化膜（ＳｉＯ２膜）を形成する
―― 大量に処理するバッチ式とウェハ一枚づつ処理する枚葉式 ――
２．熱やプラズマによるガス反応を利用して成膜するCVD（Chemical Vapor Deposition）
３．金属の塊が砕け、飛び散って付着するスパッタリング（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）
４．多層配線工程で使用するCu（銅）電解めっき
＜リソグラフィ（露光）＞
（エッチングで）加工したくない領域をレジストでブロックする「パターニング」
―― リソの仕組みと役割・様々な手法／マスク・レジスト・現像・アッシングも踏まえて ――
＜エッチング＞
レジストでブロックされていない領域を削り取り、ウェハ全面に形成した膜を様々な形状に加工
＜イオン注入・熱処理＞
ヒ素やリン、ボロンの不純物を注入し活性化する「 イオン注入・アニール工程 」
１．シリコン・ウェハに特定の電気特性を持たせる
２．半導体素子（トランジスタ）の性格付けを行う（ｎ型、ｐ型）
＜平坦化＞
リソグラフィ（露光）のために、成膜後の表面は常に凹凸なしにする
―― ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨） ――
凹凸のある形成膜の表面を、Chemical（化学研磨剤）やパッドなどを使って、Mechanical（機械的に）Polishing（削って）平坦化
＜半導体ファブ（工場）＞
半導体ファブ内の装置レイアウトは
―― 装置配列はプロセス順ではなく、ベイという考え方 ――
第２部担当：（株）産業タイムズ社 電子デバイス産業新聞 松下 晋司
15:10～18:00(170分)
PartⅠ
ウェハ前処理工程Ⅰ『 フロントエンド・プロセス 』
ＣＭＯＳロジックのトランジスタが形成されるまで
―― 主要６ブロックを紙芝居で見る ――
素子分離、ウェル形成、ゲート形成、サイドウォールとソース／ドレイン形成、シリサイド化、Wプラグ形成の６工程
PartⅡ
ウェハ前処理工程Ⅱ『 バックエンド・プロセス 』
ＣＭＯＳロジックの多層配線が形成されるまで
―― Ａｌ多層配線とＣｕ多層配線 ――
加工してから埋め込むAl配線と埋め込んでから加工するCu／low-k配線
PartⅢ
後工程『 パッケージング・プロセス 』
出来上がったＬＳＩをパッケージする
―― パッケージングの役割りと組立工程、そして出荷へ ――
第３部担当：（株）産業タイムズ社 電子デバイス産業新聞 松下 晋司
10:00～11:00（60分）
『 半導体とは？ 』どんな電子デバイス
―― その種類と製造プロセス、そしてその機能は？ ――
11:00～12:30（90分）
『 トランジスタ 』はどのようにして作る（前工程：フロントエンド・プロセス）
―― 90～65nmノード対応のトランジスタ形成､ そのプロセス技術と必要な装置･材料 ――
ルネサスエレクトロニクス（株）
生産本部 デバイス開発統括部 基盤デバイス開発部
齋藤 賢治
13:30～15:00（90分）
『 多 層 配 線 』はどのようにして作る（前工程：バックエンド・プロセス）
―― Al多層配線とCu／low-k多層配線 そのプロセス技術と必要な装置･材料 ――
ルネサスエレクトロニクス（株）
生産本部 プロセス生産技術統括部 プロセス成膜技術部 成膜開発課
課長 村中 誠志
15:10～16:50（100分）
『 パッケージ 』はどのようにして作る（後工程：パッケージング・プロセス）
―― コンベンショナルパッケージ～先端パッケージ ――
半導体デバイスの進化を担うWLCSP、FOWLP、TSV等の最新パッケージング技術
―― さらなる高集積化・高機能化・高性能化を確保するためにパッケージ形態が変貌する ――
産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門 3D集積システムグループ
客員研究員 島本 晴夫
17:00～18:00（60分）
（株）産業タイムズ社 電子デバイス産業新聞 副編集長 浮島 哲志
※講演タイトル、講演者は都合により変更することがありますので、ご了承ください。
Web会議ソフト「Zoom」にてオンラインでセミナーをご視聴いただきます。（ブラウザーでもご視聴いただけますが、Zoomアプリのインストールを推奨します）セミナーへのご質問はZoomを通じてお受けいたします。（すべてのご質問にご回答はできませんのでご了承ください）詳しいご参加方法につきましては、 2023年2月3日（金）（予定）にメールにてご案内させていただきます。
セミナーへの御参加はお申込をされたご本人様のみとなります。複数名での視聴はご遠慮ください。また参加URLの拡散は固くお断り申し上げます。
● キャンセルつきましては、2023年2月3日（金）より100%のキャンセル料を申し受けます。ご視聴・ご来場されない場合も、ご連絡がない場合にはキャンセル料が発生しますのでご注意ください
●開催２日前(弊社営業日換算)以降の参加者様の変更につきましてはキャンセル料が発生いたします。
○ 産業タイムズ社 事業開発部
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